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浙江玖维电子申请纳米级多层薄膜电阻器制造工艺与应用专利,解决传统工艺结合力差等问题_显示

发布日期:2025-06-26 04:05    点击次数:124
金融界2025年6月7日消息,国家知识产权局信息显示,浙江玖维电子科技有限公司申请一项名为“纳米级多层薄膜电阻器的制造工艺与应用”的专利,公开号CN120108873A,申请日期为2025年04月。 专利摘要显示,本发明涉及微电子器件制造技术领域,公开了一种纳米级多层薄膜电阻器的制造工艺,通过梯度缓冲层设计、离子束辅助溅射和脉冲激光退火技术,解决了传统工艺中结合力差、残余应力高和结构缺陷等问题。该电阻器具有120‑150MPa的界面结合力、≤50MPa的残余应力和10³个/cm²的针孔密度,适...

金融界2025年6月7日消息,国家知识产权局信息显示,浙江玖维电子科技有限公司申请一项名为“纳米级多层薄膜电阻器的制造工艺与应用”的专利,公开号CN120108873A,申请日期为2025年04月。

专利摘要显示,本发明涉及微电子器件制造技术领域,公开了一种纳米级多层薄膜电阻器的制造工艺,通过梯度缓冲层设计、离子束辅助溅射和脉冲激光退火技术,解决了传统工艺中结合力差、残余应力高和结构缺陷等问题。该电阻器具有120‑150MPa的界面结合力、≤50MPa的残余应力和<10³个/cm²的针孔密度,适用于智能手机、平板电脑、高性能计算机、汽车电子系统以及航空航天电子设备中。

天眼查资料显示,浙江玖维电子科技有限公司,成立于2019年,位于衢州市,是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析,浙江玖维电子科技有限公司参与招投标项目2次,财产线索方面有商标信息1条,专利信息25条,此外企业还拥有行政许可5个。

来源:金融界

发布于:北京市

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